IT之家 4 月 25 日音讯,韩国科技先进研究院(KAIST)近来宣布论文,成功研制新式相变存储器(phase change memory,PCM),能够灵敏切换结晶(低电阻)和非晶体(高电阻),然后结合 DRAM 和 NAND 的长处。
DRAM 速度快但不安稳,这在某种程度上预示着断电时(例如封闭核算机时)存储在其间的数据就会消失;而 NAND 闪存即便断电也能保存数据,但速度显着慢于 DRAM。
PCM 尽管完成了速度和非易失性的“鱼与熊掌兼得”,但制作本钱十分贵重,并且需求很多热量将相变资料熔化成非晶态,因而出产的悉数进程十分耗电。
与运用贵重的光刻东西制作的传统相变存储器比较,这种新颖的办法将耗电量下降至 15 分之一,并且制作本钱也低得多。
新式相变存储器保存了传统存储器的许多特性,如速度快、ON / OFF 比大、改变小、多级存储特性等。
Choi 表明,他们估计研究结果将成为未来电子工程的根底,并或许应用于高密度 3D 笔直存储器、神经形状核算体系、边际处理器和内存核算体系。
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